L'interferometro a luce bianca IMS5420-TH di Micro-Epsilon apre nuove prospettive nella misurazione industriale dello spessore dei wafer in silicio monocristallino. Grazie al suo diodo super luminescente a banda larga (SLED), l'IMS5420-TH può essere utilizzato per wafer in silicio non drogati, drogati e altamente drogati. Il campo di misura dello spessore va da 0,05 a 1,05 mm. Lo spessore misurabile dei gap d’aria arriva fino a 4 mm.
Nella produzione di semiconduttori, la massima precisione è essenziale. Una fase importante del processo è la lappatura dei pezzi grezzi, che vengono così portati a uno spessore uniforme. Allo scopo di poter attuare una continua verifica dello spessore, sono stati sviluppati gli interferometri a luce bianca della serie interferoMETER IMS5420 di Micro-Epsilon, produttore tedesco rappresentato in Italia da Luchsinger srl.
Questi sono costituiti da un sensore compatto e da un controller, entrambi alloggiati in una robusta custodia di livello industriale. Il controllo attivo della temperatura integrato nel Controller garantisce un'elevata stabilità delle misure.
L'interferometro è disponibile sia come sistema di misurazione dello spessore che come sistema di misurazione dello spessore multi-picco. Il sistema di misurazione dello spessore a più picchi può misurare lo spessore di un massimo di cinque strati, ad esempio lo spessore del wafer, del gap d’aria, della pellicola e dei rivestimenti >50 µm.
Per le misure di spessore in condizioni ambientali difficili, il Controller “IMS5420IP67” è disponibile con grado di protezione IP67 e alloggiamento in acciaio inossidabile, oltre a fibre ottiche e sensori abbinati.
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