Misurazione dello spessore e della struttura dei wafer solari

Sensori capacitivi per il controllo di spessore e qualità superficiale in linea

Nella produzione dei wafer solari, ricavati per taglio dai lingotti di silicio, lo spessore deve mantenersi entro una tolleranza ristretta attorno ai 180 µm per garantire la qualità delle lavorazioni successive. Wafer fuori specifica o con difetti strutturali compromettono la resa delle celle a valle: un controllo a campione non è sufficiente a intercettare ogni pezzo non conforme lungo la linea di produzione.

Il controllo avviene direttamente sul nastro trasportatore, con sei sensori capacitivi disposti in tre coppie contrapposte lungo tre tracce di misura. Un sistema multicanale della serie capaNCDT 6200, con funzione di calcolo integrata, elabora in tempo reale il segnale di spessore di ogni wafer e ne valuta anche la qualità superficiale, classificando ciascun pezzo come conforme o non conforme.

Il sistema gestisce l'acquisizione con una frequenza limite fino a 20 kHz e un'uscita digitale fino a 3,9 kHz, integrabile nel PLC di linea tramite uscita analogica, Ethernet, EtherCAT o PROFINET. La misura capacitiva senza contatto è più precisa e stabile dei sistemi ottici comunemente usati per questo controllo, e permette l'ispezione al 100% di ogni wafer rispetto allo spessore target di 180 µm, invece di un controllo a campione.

 

Acquisire simultaneamente più punti di misura - spessore, run-out assiale, parallelismo - richiede un'elettronica capace di leggere più sensori in sincronia, senza interferenze reciproche e con integrazione diretta nel bus di campo. Questo controller capacitivo multicanale risponde all'esigenza con un'architettura modulare espandibile fino a quattro canali e connettività industriale nativa, per misure di spostamento, distanza e posizione ad altissima precisione.

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