Nella produzione di semiconduttori, lo spessore del wafer di silicio è un parametro critico da controllare lungo tutto il processo: variazioni anche minime possono compromettere le fasi successive di lavorazione e la qualità dei dispositivi finali. Il controllo deve inoltre restare accurato anche quando il wafer non è perfettamente centrato nella stazione di misura, una condizione comune nelle linee di produzione ad alta velocità.
Per questo si impiegano due sensori di distanza capacitivi posizionati in opposizione, uno sopra e uno sotto il wafer, mentre questo attraversa una fessura di misura: la somma delle due distanze fornisce lo spessore, indipendentemente dalla posizione esatta del wafer all'interno della fessura. Lo stesso principio permette di ricavare anche la deflessione del wafer nello stesso passaggio di misura. Per applicazioni che richiedono una precisione ancora maggiore, la stessa misura può essere affidata a un interferometro a luce bianca.
La misura resta stabile anche in presenza di piccole variazioni di centraggio del wafer, riducendo la necessità di sistemi di guida meccanica ad alta precisione. L'integrazione in linea consente il controllo del 100% dei wafer prodotti, invece di un controllo a campione, con il vantaggio aggiuntivo di ottenere spessore e deflessione dalla stessa misura.
