Nella produzione di semiconduttori, la qualità di un wafer non si misura solo dallo spessore nominale, ma anche dalla sua uniformità su tutta la superficie: variazioni di spessore (TTV, Total Thickness Variation), curvatura globale (bow) e deformazioni localizzate e irregolari (warp) influenzano direttamente i processi successivi, in particolare la litografia, dove anche pochi micrometri di scostamento possono compromettere la messa a fuoco e l'allineamento.
Per ottenere questi parametri si scansiona l'intera superficie del wafer, da entrambi i lati, con sensori cromatici confocali ad alta risoluzione verticale: dal profilo di spessore risultante si ricavano sia la variazione totale di spessore (TTV) sia le informazioni su curvatura e deformazione della superficie. I controller collegati ai sensori confocali permettono cicli di misura rapidi, necessari per non rallentare il flusso produttivo quando si scansiona l'intero wafer.
Ottenere spessore, bow e warp dalla stessa scansione evita di dover eseguire misure separate con strumenti diversi, semplificando il controllo qualità in linea. Un wafer fuori tolleranza viene individuato prima di entrare nelle fasi di lavorazione più costose, come la litografia, riducendo il rischio di scarti a valle del processo.
