Durante la produzione dei wafer, dal taglio del lingotto di silicio alle fasi di lavorazione successive, possono formarsi sulla superficie difetti di diversa natura: piccole cavità lasciate dalla sega (segni di segatura), oppure crepe e rotture strutturali. Se non individuati prima delle fasi successive, questi difetti compromettono la qualità del wafer e comportano scarti più costosi a valle del processo.
Per rilevarli si utilizzano sensori cromatici confocali, che proiettano sulla superficie un punto luminoso molto piccolo, in grado di distinguere anche cavità e irregolarità di dimensioni ridotte. Il controller del sensore compensa rapidamente le variazioni di riflettività della superficie, mantenendo la stabilità del segnale anche sui wafer lucidi o con proprietà riflettenti diverse tra un punto e l'altro.
L'elevata inclinazione angolare tollerata dal sensore consente di misurare superfici non perfettamente piane senza perdere il segnale, mentre il controllo in linea permette di individuare i wafer difettosi per segni di segatura, crepe o rotture prima che proseguano nelle fasi di lavorazione più costose. A monte del taglio si esegue l'ispezione dimensionale dei lingotti di silicio.
