Nella produzione del polisilicio con il processo Siemens, il silicio metallurgico viene trasformato in triclorosilano, purificato per distillazione e infine depositato in un reattore CVD su filamenti di silicio riscaldati elettricamente fino a 1150 °C, che crescono fino a formare barre di 150-200 mm di diametro. Durante tutta la crescita la temperatura delle barre deve restare costante: un surriscaldamento può fondere le barre e interrompere il processo, mentre una temperatura non uniforme compromette la qualità e la purezza del materiale. Sulla barra in crescita non si possono usare sensori a contatto, e la misura deve fare i conti con l'ambiente ostile del reattore e con l'emissività del silicio, che varia con temperatura, lunghezza d'onda e stato della superficie.
Per questo si impiegano pirometri a infrarossi a fibra ottica con tecnologia a due colori, come i CTratio. La testa di rilevamento è passiva e può essere installata nelle zone difficili del reattore, mentre l'elettronica resta all'esterno. La misura a rapporto confronta due lunghezze d'onda e riduce gli errori dovuti alle variazioni di emissività, ai disturbi ottici e all'attenuazione nel percorso ottico; inoltre la barra non deve riempire completamente il campo visivo. Per il silicio è indicata una lunghezza d'onda corta, intorno a 1 µm, dove l'emissività è più stabile.
Il CTratio 1M misura da 450 °C a 3000 °C nella banda 0,8-1,1 µm, il CTratio 2M da 250 °C a 3000 °C nella banda 1,45-1,75 µm; entrambi hanno un tempo di risposta di 1 ms e un rapporto distanza/spot fino a 100:1. Nelle aree con presenza di idrogeno si possono adottare custodie antideflagranti. Il controllo continuo della temperatura consente una deposizione uniforme, riduce i difetti strutturali e previene il surriscaldamento delle barre. Nella deposizione di film sottili sui wafer si veda anche il controllo della temperatura nel processo CVD con pirometri monocolore.
